Lin Lanying(1918 — 2003)

Lanying Lin

République populaire de Chine

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TechnologieSciencesXXe siècleChine du XXe siècle : révolution communiste, fondation de la République populaire (1949) et effort national de modernisation scientifique et industrielle durant la Guerre froide.

Lin Lanying est une ingénieure et scientifique chinoise des matériaux semi-conducteurs. Pionnière de la microélectronique en Chine, elle est surnommée la « mère des matériaux semi-conducteurs chinois » pour avoir développé les premiers monocristaux de silicium et d'arséniure de gallium du pays.

Questions fréquentes

Pour comprendre son surnom, il faut imaginer la Chine des années 1950, un pays rural sans industrie électronique. Ce qui distingue Lin Lanying, c’est qu’après un doctorat de physique du solide à l’Université de Pennsylvanie en 1955, elle quitte un poste bien payé aux États-Unis pour rentrer en Chine en 1957. Là, elle participe à la fabrication du premier monocristal de silicium chinois dès 1958, puis du premier arséniure de gallium au début des années 1960. Ce qu’il faut retenir, c’est qu’elle a fourni à son pays les matériaux de base de toute la microélectronique moderne, d’où ce titre de pionnière.

Faits marquants

  • Née le 7 février 1918 à Putian (Fujian), morte le 4 mars 2003 à Pékin.
  • Obtient un doctorat à l'université de Pennsylvanie aux États-Unis, puis travaille dans l'industrie électronique américaine (Sylvania).
  • Rentre en Chine en 1957 et élabore le premier monocristal de silicium chinois (1958).
  • Produit le premier monocristal d'arséniure de gallium de Chine, matériau clé pour l'optoélectronique et le spatial.
  • Élue à l'Académie des sciences de Chine, elle forme plusieurs générations de spécialistes des semi-conducteurs.

Œuvres & réalisations

Doctorat de physique du solide (University of Pennsylvania) (1955)

Formation de pointe qui fait d'elle une experte des matériaux et prépare son travail sur les semi-conducteurs.

Premier monocristal de silicium de Chine (1957-1958)

Réalisation fondatrice : elle dote la Chine du matériau de base de toute l'électronique moderne.

Premier monocristal d'arséniure de gallium (GaAs) de Chine (début des années 1960)

Maîtrise d'un semi-conducteur avancé utilisé dans les lasers, l'optoélectronique et les composants rapides.

Développement de matériaux semi-conducteurs de haute pureté (années 1960-1980)

Mise au point de procédés de purification et de croissance cristalline pour l'industrie microélectronique chinoise.

Croissance de cristaux de GaAs en microgravité (1987)

Expérience pionnière de fabrication de cristaux semi-conducteurs en apesanteur à bord d'un satellite récupérable.

Direction scientifique à l'Institut des semi-conducteurs (CAS) (années 1960-2000)

Encadrement de la recherche nationale et formation de nombreux chercheurs en microélectronique.

Anecdotes

Enfant à Putian, dans la province chinoise du Fujian, Lin Lanying se heurte à sa famille : la tradition voulait qu'une fille quitte l'école après le primaire pour se marier. Elle refuse avec détermination, obtient de poursuivre ses études et termine régulièrement première de sa classe.

Après un doctorat de physique du solide à l'Université de Pennsylvanie en 1955, elle travaille dans une entreprise d'électronique américaine où elle est bien payée. En 1957, elle choisit pourtant de rentrer en Chine pour aider son pays à bâtir, presque à partir de rien, son industrie des semi-conducteurs.

En 1957-1958, Lin Lanying participe à la fabrication du premier monocristal de silicium chinois, puis du premier cristal d'arséniure de gallium du pays. Ces matériaux ultra-purs sont la base des transistors et de toute la microélectronique : sans eux, pas d'ordinateurs ni de téléphones modernes.

En 1987, des cristaux d'arséniure de gallium sont cultivés en apesanteur à bord d'un satellite chinois récupérable, une expérience qu'elle dirige. C'est l'une des toutes premières fois que l'on fait croître ce type de cristal semi-conducteur dans l'espace.

Lin Lanying ne s'est jamais mariée et a consacré sa vie entière à la recherche. On la surnomme aujourd'hui la « mère des matériaux semi-conducteurs chinois » en hommage à son rôle de pionnière.

Sources primaires

Thèse de doctorat en physique du solide, University of Pennsylvania (1955)
Travail de recherche soutenu pour l'obtention du doctorat, portant sur la physique de l'état solide, domaine qui fonde sa future expertise sur les cristaux semi-conducteurs.
Rapports de l'Institut des semi-conducteurs de l'Académie des sciences de Chine (années 1958-1965)
Comptes rendus scientifiques documentant la mise au point des premiers monocristaux de silicium et d'arséniure de gallium de haute pureté produits en Chine.
Notice biographique et hommage de l'Académie des sciences de Chine (中国科学院) (2003)
Document institutionnel retraçant sa carrière d'académicienne et la qualifiant de pionnière des matériaux semi-conducteurs chinois.
Comptes rendus de l'expérience de croissance cristalline en microgravité (satellite récupérable chinois) (1987)
Description du protocole et des résultats de la croissance de cristaux d'arséniure de gallium en apesanteur lors d'un vol de satellite récupérable.

Lieux clés

Putian (Fujian, Chine)

Ville côtière du sud-est de la Chine où naît Lin Lanying en 1918 et où elle mène son combat pour aller à l'école.

Université chrétienne du Fujian, Fuzhou

Établissement où elle étudie la physique et obtient sa formation universitaire en Chine avant son départ à l'étranger.

Université de Pennsylvanie, Philadelphie (États-Unis)

Université où elle décroche en 1955 son doctorat de physique du solide, fondement de son expertise sur les semi-conducteurs.

Institut des semi-conducteurs de l'Académie des sciences de Chine, Pékin

Laboratoire où elle dirige les recherches sur les monocristaux de silicium et d'arséniure de gallium et forme des générations de chercheurs.

Pékin (Chine)

Capitale chinoise où elle passe l'essentiel de sa carrière scientifique et où elle meurt en 2003.

Voir aussi